7月3日消息，迪铠采用332层堆叠设计。侠联读取能效提升30%。手推闪存通过优化存储单元的容量排列布局来提升密度。BiCS10的捅破天花NAND接口速度达到4.8Gb/s，这两项技术的存储出层成熟与迭代，
板闪板闪为BiCS10实现332层堆叠和4.8Gb/s接口速度提供了底层支撑。迪铠位密度提升59%，侠联实现了超过29Gb/mm²的手推闪存业界领先存储密度。首款产品为1Tb TLC型号，容量较BiCS8提升了33%。捅破天花第十代BiCS FLASH 3D闪存技术BiCS10正式启动样品交付。SCA协议及PI-LTT低功耗技术。其中数据中心领域增速达46%。将CMOS逻辑电路与存储阵列分别在不同晶圆上制造，其一是CMOS直接键合到阵列技术，输入功耗较BiCS8降低10%，推理及大规模云工作负载设计。性能方面，
技术层面，闪迪与铠侠联合宣布，写入能效提升18%，目前没有公布具体的单颗售价。
铠侠预测2026至2028年NAND市场整体出货容量复合年增长率为22%，
其二是间距选择栅极漏极技术，
BiCS10在技术架构上延续了BiCS8时代就已采用的两大核心工艺。再通过高精度晶圆对晶圆对准键合。输出功耗降低34%。
能效表现方面，
两家公司均未将BiCS10定位为消费级产品，