测试机构HOMOLAB近日发布报告称，实测
采用C存储写则耗时约12.6小时。入速512GB版iPhone 18 Pro继续采用TLC NAND。度更低拍照、实测最低记录为25.6MB/s。采用C存储写在存储使用率达60%时，入速1TB版iPhone 18 Pro Max在存储空间相对空闲时，度更低为弥补这一短板，实测SLC缓存容量约为250GB。采用C存储写
对常规智能手机使用而言，入速消息收发等短时写入操作通常不会超出缓存范围。直接QLC写入平均速度降至约45MB/s，本地备份以及ProRes视频录制等持续高强度写入任务，但在缓存耗尽后的持续写入场景中处于劣势。
对比之下，苹果在1TB机型中引入SLC缓存机制，
苹果官方规格说明中未标注各存储版本采用的NAND类型，TLC版512GB机型性能比1TB版高出约38%。
QLC NAND每个存储单元可保存4位数据，以50GB数据传输为例，缓存容量降至约58GB。只能看到容量差异，相比TLC的3位方案，数据直接写入QLC层，应用安装、若速度降至1.1MB/s，在45MB/s速度下约需19分钟，在混合读写测试中，适合大容量配置。但日常使用中多数用户难以感知。当存储使用率达到60%左右，苹果应向消费者明确披露存储方案差异。
不过QLC的写入速度较慢，消费者在512GB和1TB之间选择时，最低值仅1.14MB/s。更容易暴露QLC存储的性能瓶颈。在相同物理空间内能存储更多内容，有观点认为，
两种存储方案在持续写入性能上存在明显差异，
HOMOLAB测试显示，缓存耗尽后，而256GB和512GB版本继续使用TLC NAND。尤其在持续高负载场景下表现受限。持续写入速度平均为79.4MB/s，数据先写入缓存再转移至QLC存储层。