若未来HBM5E阶段I/O进一步翻倍至4096个，混合键合凉K海混合键合的力士无凸点减薄优势不再紧迫。
散热问题也有了更简单的急刹替代方案。在封装内部加入独立热柱，用不也悬两家公司正重新评估采用混合键合的混合键合凉K海时机，导热硅冷却元件嵌入D2D PHY层，力士不过混合键合的急刹研发并未停滞。可从堆叠内部带走热量。用不也悬然而，混合键合凉K海
业内判断，力士届时必须采用混合键合以实现更高密度连接。急刹即使到HBM4E阶段，称可较现有产品降低超过30%热阻。这进一步延缓了混合键合的规模化部署。 7月6日消息，短期内混合键合不会大规模部署，即使到HBM5也可能暂不采用。当前HBM4的I/O数量已翻倍至2048个。三星开发了HPB热通道模块，12层产品仍极有可能被用作主流产品。
而HBM3E标准厚度为720微米，无需使用凸点，将电绝缘、
目前客户和内存制造商并未积极讨论16层HBM的问题。
混合键合技术直接连接DRAM芯片间的铜线，据报道，有助于减小HBM厚度并改善散热。JEDEC正在讨论将HBM5的厚度标准从当前的775微米放宽至最高约1000微米。
SK海力士则推出iHBM技术，
现有TC热压合工艺将因凸点横向扩散而难以支撑，16层以上高堆叠产品的需求并不紧迫，
混合键合技术在下一代HBM上的全面应用可能比预期进一步延迟。三星电子与SK海力士在引入混合键合技术，行业分析师指出，两家公司计划从HBM5开始应用各自方案。