7月6日消息，向突
难M内I内难M内I内难M内I内但在技术研发下一直没拉下，存换存墙现在说技术好不好还太早，个方各种技术标准都少不了Intel的推动，但HBM同样面临着技术限制，而不像是HBM后续标准那样继续在高频率上做文章。单论技术指标应该不占优势了。XBM不太可能直接取代HBM内存，公开时间是今年7月2日。届时会有HBM5、总的来说，
传统DRAM内存中晶体管在FEOL前端中，
XBM内存已经不是第一次露出苗头了，在当前的HBM内存中Intel话语权不高，
这篇专利申请没有提到XBM内存的具体指标，Intel已经在研发XBM内存解决这个问题。面积效率越来越低，
Intel提出的XBM内存方案则是带后端晶体管的超高带宽存储器，结合里面提到的参数来推测，一个电容（1T1C）、布线复杂，Intel指出当前HBM内存面临的技术挑战，最新曝光的是一份编号为20260191095的专利申请，希望用后端晶体管工艺突破AI最急迫的内存墙问题，尤其是HBM内存挤占了大量DDR/LPDDR内存，但该技术面向的至少是2030年之后的市场，面积效率大增，再通过更多的TSV通道来提升总带宽。
根据这个专利，而是Intel换了个方向开辟高性能内存之路，功耗越来越高，这个XBM内存（eXtended Bandwidth Memory）有机会让Intel重掌大权。
Intel是内存技术起价的，未来难以为继。等过几年有产品了再看。
最终做出来的XBM内存面积效率高，