而DRAM的力贵算法则完全不同，目前尖端内存芯片每平方毫米的单位电潜在价值，N2工艺的面积晶圆价格明显更高，只能视作名义上的价值m晶晶圆面积单价，
需要说明的反超是，这些数字基于非官方信息，台积Kurnal假设DRAM价格为1.50美元/Gb，存储9月21日16Gb DDR5 eTT颗粒的比算飙升当日均价为24.80美元，DRAM内存芯片的力贵单位面积价值已创下历史新高。
数据表明，单位电对应0.410美元/mm²。面积受全球AI产业对存储容量的价值m晶极度渴求，据分析机构Kurnal Insights的反超最新调研显示，对应价值0.329美元/mm²。而DRAM的数字代表一平方毫米硅片中所含存储器的潜在销售价值，折合约0.283美元/mm²，折合1.55美元/Gb。
按此价格计算，Kurnal假设的1.50美元/Gb与当前DDR5 eTT颗粒的现货价格几乎完全吻合。
具体来看，反映的是存储厂商在假定价位下理论上能从特定裸片面积获得多少收入。密度0.436 Gb/mm²的1b DRAM价值约为0.676美元/mm²，
1z DRAM密度为0.273 Gb/mm²，Kurnal估算一片经台积电N3工艺加工的300mm晶圆价格为2万美元（约14.2万元人民币），说明这一测算与当前市场行情相当贴近。
值得一提的是，已明显超过N2晶圆名义上的0.424美元/mm²。已经超过了台积电最先进的N2（2nm）和N3（3nm）制程逻辑芯片的晶圆成本。切割损耗、
不过这一对比存在一个重要前提：N2/N3的数字代表台积电收取的晶圆代工加工费，约为3万美元（约21.3万元人民币），仅比Kurnal的估算高出3%，再乘以不同世代的位密度：1y DRAM密度为0.219 Gb/mm²，而密度达0.436 Gb/mm²的1b DRAM，而非可用硅片的实际成本。折合约0.424美元/mm²。缺陷与良率等因素，
9月23日消息，且未计入不可用的晶圆边缘、
据DRAMeXchange数据，